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安森美发布:碳化硅(SiC)二极管用于 要求严苛的汽车应用

安森美发布:碳化硅(SiC)二极管用于 要求严苛的汽车应用

安森美发布:碳化硅(SiC)二极管用于

要求严苛的汽车应用

-------更低损耗及更快速的开关带来高能效、节省空间的方案并降低系统总成本

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor),发布了碳化硅(SiC)肖特基二极管(Schottky diode)的扩展系列,包括专门用于要求严苛的汽车应用元件。全新符合AEC-Q101车规的汽车级SiC二极管提供现代汽车应用所需的可靠性和耐用性,以及等同于宽能带隙(WBG)技术的众多性能优势。
碳化硅(SiC)技术提供比硅元件更佳的开关性能及更高的可靠性。碳化硅(SiC)二极管没有反向回复电流,而开关性能与温度无关。极佳的热性能、增加的功率密度和降低的电磁干扰(EMI),减小的系统尺寸和降低的成本使碳化硅(SiC)成为越来越多高性能汽车应用的极佳选择。
安森美半导体新的碳化硅(SiC)二极管采用流行的表面黏着和通孔封装,包括TO-247、D2PAK和DPAK。FFSHx0120 1200伏特(V)第一代元件和FFSHx065 650 V 第二代元件提供零反向回复、低正向电压、与温度无关的电流稳定性、极低漏电流、高突波容量和正温度系数。它们提供更高的能效,而更快的回复则提高开关速度,进而缩小所需的磁性组件尺寸。
为了满足坚固性要求,并在汽车应用恶劣的电气环境中可靠地运作,二极管的设计能够承受大的突波电流。它们还包含一种提高可靠性和增强稳定性的独特专利终端结构。运作温度范围为-55℃至175℃。
安森美半导体资深总监Fabio Necco说:“安森美半导体推出符合AEC车规的元件,扩展了肖特基二极管系列,为汽车应用带来碳化硅(SiC)技术的显著优势,使客户能够达到此产业对性能的严苛要求。碳化硅(SiC)技术非常适用于汽车环境,提供更高的能效、更快的开关、更好的热性能和更高的坚固性。在讲究节省空间和重量的领域,SiC的高功率密度有助于减少整体解决方案的尺寸,以及较小型磁性组件所带来的相关优势,都受客户欢迎。” 
安森美半导体将在PCIM期间展示这些新的元件以及公司在宽能带隙(WBG)、汽车、电动机控制、USB-C供电及LED照明等领域的解决方案与用于工业预测性维护应用的智慧被动感测器(Smart Passive Sensors)。 
安森美半导体有领先产业的进阶仿真程式(SPICE)模型,该模型易于受到程序参数和电路布置扰动的影响,因此对于当前产业建模能力是一大进步。使用该工具,电路设计人员可提早在仿真过程评估技术,无需再经过昂贵且耗时的制造迭代。安森美半导体坚固的SPICE预测模型的另一个好处是它可连接到多种产业标准的仿真平台。